面向亚5nm的SiGe/Ge器件、新型存储器、CMOS兼容的铁电材料与器件、先进工艺的表征与可靠性、基于新型存储器的存算一体化。近些年,承担了国家“973”项目、国家“02”重大科技专项项目、国家科技创新重大项目、国家自然科学基金项目、以及知名半导体企业委托项目等。团队学术成果多次在IEDM、VLSI、DAC等顶级国际会议和IEEE TED、EDL等专业期刊上发表,并已在国内外集成电路龙头企业中应用。团队与国内主要集成电路制造、设计和应用企业保持着深入且良好的长期合作关系。

    团队成员

  • 赵毅
    教授

    021-54345097
    yizhao@ic.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼239室

  • 蔡道林
    研究员


    daolincai@ic.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼140室

  • 芮祥新
    研究员


    xxrui@cee.envy

  • 邱翔
    研究员




  • 曲益明
    副研究员


    ymqu@cee.ecnu.edu.cn
    闵行信息楼605室

  • 刘梦玮
    副研究员


    mwliu@cee.ecnu.edu.cn

代表性论文

1. Programmable Linear RAM: A New Flash Memory based Memristor for Artificial Synapses and Its Application to Speech Recognition System, IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM) 2019, San Francisco, USA.

2. Ge-based Non-Volatile Logic-Memory Hybrid Devices for NAND Memory Application, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, USA.

3. Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (TCAM) with Two HfO2/Al2O3/GeOx/Ge MOS Diodes, IEEE VLSI Technology Symposium (VLSI) 2018, Hawaii, USA.

4. Ultra Fast (<1 ns) Electrical Characterization of Self-heating Effect and Its Impact on Hot Carrier Injection in 14nm FinFETs, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2017, San Francisco, USA.

5. Experimental study on hole and electron effective masses in inversion layers of Ge (100), (110) and (111) p- and n-MOSFETs, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 San Francisco , USA.

6. High performance and reliability Ge channel CMOS with a MoS2 capping layer, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 San Francisco , USA.

7. Fast-trap characterization in Ge CMOS using sub-1 ns ultra-fast measurement system, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2016, San Francisco, USA.

8. RTN and Low Frequency Noise on Ultra-scaled Near-ballistic Ge Nanowire nMOSFETs, IEEE VLSI Technology Symposium (VLSI) 2016, Hawaii, USA.

科研项目

团队承担了20余项国家及省级重要科研项目,包括科技部“科技创新-2030”重大项目,国家重大基础研究计划(”973”)课题,国家自然科学基金项目等。

1. 科技部科技创新2030-“新一代人工智能”重大项目

2. 国家“02”科技重大专项子课题,5纳米及以下技术节点器件的自热效应研究

3. 国家“02”科技重大专项产学研合作课题,面向14nm及其以下技术代的超快器件电学测试技术研究

4. 国家重大基础研究计划(”973”)课题,面向16nm及其以下技术代CMOS集成电路的材料基础研究

5. 多项国家自然科学基金面上项目,国家自然科学基金青年项目

6. 多项企业合作课题

获奖

1. 2020年 IEEE International Reliability Physics Symposium 会议最佳论文奖

2. 2013年 ACM International Symposium on Physical Design 会议最佳论文提名